Samsung ผลิตหน่วยความจำแฟลช V-NAND 100 ชั้นซึ่งเป็นตลาด SSD ระดับองค์กรหลัก

Samsung Electronics ประกาศว่า บริษัท ได้เริ่มผลิตหน่วยความจำแฟลช V-NAND 100 ชั้นแรกของอุตสาหกรรมและวางแผนที่จะนำมาใช้กับองค์กร PCSSD ยักษ์ใหญ่ด้านเทคโนโลยีของเกาหลีใต้กล่าวว่า SSD ที่ใช้หน่วยความจำแฟลช V-NAND 256Gb3 บิตได้เริ่มส่งมอบให้กับผู้ผลิตพีซีทั่วโลกแล้ว ด้วยแฟลชเซลล์ V-NAND 100 เลเยอร์ที่ต้องการเพียงการแกะสลักเพียงชิ้นเดียวผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จึงเป็นผู้นำตลาดด้านความเร็วความเร็วปริมาณงานและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

สื่อต่างประเทศ ZDNet รายงานว่า Samsung ได้มอบ SATAPCSSD 250GB ให้กับลูกค้าที่ไม่มีชื่อ

บริษัท จะเพิ่มกำลังการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปีนี้และใช้หน่วยความจำแฟลช V-NAND 512Gb3 บิตเพื่อผลิตผลิตภัณฑ์ SSD และ eUFS เพื่อตอบสนองความต้องการใหม่ในข้อกำหนดต่างๆ

ซัมซุงกล่าวว่าแฟลช V-NAND 100 หรือ 6 เจนเนอเรชั่นมีเวลาแฝงในการเขียนต่ำเพียง450μsและเวลาตอบสนองการอ่าน45μs

เมื่อเปรียบเทียบกับแฟลช V-NAND 90 ชั้นแฟลช V-NAND 100 เลเยอร์ไม่เพียงเพิ่มประสิทธิภาพ 10% เท่านั้น แต่ยังใช้พลังงานน้อยลง 15% นอกจากนี้กระบวนการใหม่ลดขั้นตอนการผลิตลดขนาดชิปและเพิ่มการผลิตได้ 20%

มองไปข้างหน้าซัมซุงวางแผนที่จะปรับใช้หน่วยความจำแฟลช V-NAND ใหม่ในภาคมือถือและยานยนต์เพื่อเสริมสร้างความเป็นผู้นำในตลาดหน่วยความจำแฟลช

ก่อนหน้านี้ยักษ์ใหญ่ด้านเทคโนโลยีของเกาหลีใต้ได้เตือนว่ายังมีความไม่แน่นอนอย่างต่อเนื่องในการดำเนินงานของ บริษัท ก่อนที่จะเปิดเผยรายงานผลประกอบการไตรมาสสองรวมถึงความตึงเครียดที่เกิดจากแรงเสียดทานทางการค้าระหว่างญี่ปุ่นและเกาหลีใต้

เมื่อต้นสัปดาห์ที่ผ่านมาญี่ปุ่นได้ปลดเกาหลีใต้ออกจากบัญชีขาวของคู่ค้าและกำหนดข้อ จำกัด ทางการค้าสำหรับวัสดุสำคัญที่ใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์เมื่อเดือนที่แล้ว

แม้จะมี SK Hynix ในเกาหลี แต่ผู้นำก็สั่งให้ บริษัท พัฒนาแผนฉุกเฉิน แต่ดูเหมือนว่าซัมซุงจะไม่โกรธจัด แต่ตัดสินใจที่จะลงทุนในการผลิตต่อไปในช่วงครึ่งหลังของปีนี้

ในที่สุดเมื่อกำไรและอุปสงค์ในธุรกิจหน่วยความจำลดลงอย่างรวดเร็ว บริษัท คาดว่ากำไรจากการดำเนินงานในไตรมาสสองจะลดลงครึ่งหนึ่งเมื่อเทียบกับช่วงเวลาเดียวกันของปีที่แล้ว