Hello Guest

Sign In / Register
ภาษาไทย
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
บ้าน > ข่าว > ขึ้นอยู่กับกระบวนการ 8nm! Samsung เสร็จสิ้นการพัฒนาเทคโนโลยีชิป RF 5G

ขึ้นอยู่กับกระบวนการ 8nm! Samsung เสร็จสิ้นการพัฒนาเทคโนโลยีชิป RF 5G

Samsung Electronics ระบุว่ามีการพัฒนาเทคโนโลยี RF ล่าสุดตามกระบวนการ 8 นาโนเมตร เมื่อเทียบกับกระบวนการ 14nm กระบวนการ RF 8nm ของ Samsung สามารถลดพื้นที่ชิป RF ได้ 35% และเพิ่มพลังงาน 35%

ตามรายงานของสื่อเกาหลีของ ELEC Samsung จะให้ชิป RF 5G ที่รองรับการรวมหลายช่องทางและเสาอากาศหลายในอนาคต ซัมซุงกล่าวว่าชิปจะรองรับคลื่นย่อยและคลื่นมิลลิเมตร กระบวนการใหม่คาดว่าจะได้รับคำสั่งซื้อ OEM เพิ่มเติมสำหรับ Samsung

ตามข้อมูลจาก บริษัท วิจัยตลาด Trendforce ธุรกิจโรงหล่อของ Samsung มีส่วนแบ่งการตลาดทั่วโลก 17% ในไตรมาสแรกและยังคงอยู่เบื้องหลัง 55% ของ TSMC

บริษัท เกาหลีใต้เริ่มให้บริการโรงหล่อ RF ชิปในปี 2558 โดยใช้กระบวนการ 28nm และการผลิตเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วและในปี 2560 เริ่มให้กระบวนการผลิต 14nm Samsung กล่าวว่าตั้งแต่ปี 2560 บริษัท ได้จัดส่งชิปความถี่วิทยุมือถือมากกว่า 500 ล้านเครื่อง